申请/专利权人：上海磁宇信息科技有限公司

申请日：2019-04-11

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN111816762B

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00;G11C11/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：本发明公开了一种磁性随机存取器磁性存储单元及其形成方法，其包括依次沉积的底电极、磁性隧道结和顶电极，在磁性隧道结内部按照非晶态缓冲层、晶态种子层、合成反铁层、合成反铁层‑参考层铁磁耦合层、参考层、势垒层、自由层和覆盖层的多层结构依次向上叠加。形成步骤包括：步骤1：提供表面抛光的带CMOS通孔的基底；步骤2：沉积底电极；步骤3：沉积磁性隧道结多层膜和顶电极；步骤4：选择350～450℃对沉积之后的磁性隧道结结构单元退火，以使得参考层和自由层在NaCl结构势垒层的模板作用下从非晶结构转变成BCC001的晶体结构。

主权项：1.一种磁性随机存取器磁性存储单元，其特征在于，其包括依次沉积的底电极、磁性隧道结和顶电极，在磁性隧道结内部按照非晶态缓冲层、晶态种子层、合成反铁层、合成反铁层-参考层铁磁耦合层、参考层、势垒层、自由层和覆盖层的多层结构依次向上叠加；所述非晶态缓冲层为双层结构或者双层结构的多次重复，划分为第一非晶态缓冲层和第二非晶态缓冲层；所述第二非晶态缓冲层位于所述第一非晶态缓冲层之上，其材料结构不同于所述第一非晶态缓冲层的材料结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海磁宇信息科技有限公司 一种磁性随机存储器磁性存储单元及其形成方法

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