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【发明公布】一种晶粒双峰和梯度结构复合异构纯铜的制备方法_昆明理工大学_202410083901.5 

申请/专利权人:昆明理工大学

申请日:2024-01-19

公开(公告)日:2024-03-15

公开(公告)号:CN117702022A

主分类号:C22F1/08

分类号:C22F1/08;C21D9/00;B82Y30/00;B82Y40/00;B21B1/22;B21B37/46

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要:本发明公开了一种晶粒双峰和梯度结构复合异构纯铜的制备方法,属于材料制备技术领域。本发明所述方法先将购买的商业无氧纯铜板T2异步轧制后进行短时退火处理,再将纯铜板材在室温环境下进行2min的表面纳米化处理,最后得到复合异质结构纯铜材料。本发明是采用预先对纯铜板材在室温进行总变形量为33%的异步轧制,使其在后续退火中发生广泛的再结晶行为,以形成晶粒尺寸差异双峰结构。对铜板表面进行处理,使形成的金属表面层沿板层芯部之间形成微观结构梯度,以此形成双峰加梯度的复合异质结构,本发明制得材料屈服强度和抗拉强度分别达到192MPa和239MPa,均匀延伸率达到了28%,满足了纯铜结构件的强韧性需求。

主权项:1.一种晶粒双峰和梯度结构复合异构纯铜的制备方法,其特征在于:具体步骤如下所述:1将购买6mm厚度的商业无氧纯铜板,表面打磨抛光去氧化层;2将1得到的6mm厚度纯铜板材在室温下分3~5道次异步轧制至4mm,总变形量33%,轧制过程中上下辊轮异速比为1.3;3将经过轧制的纯铜板在450℃下退火15min得到晶粒双峰结构,表面打磨抛光、去污质,备用;4将步骤3得到的纯铜基板在室温环境下进行表面纳米化处理,最后得到晶粒双峰和梯度结构复合异构的纯铜。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 昆明理工大学 一种晶粒双峰和梯度结构复合异构纯铜的制备方法

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