申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2022-11-17

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117716495A

主分类号：H01L23/528

分类号：H01L23/528;H01L29/78;H01L27/092;H01L23/522

优先权：["20211223 US 17/561,682"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.15#公开

摘要：描述了具有掩埋功率轨的集成电路结构。在示例中，一种集成电路结构包括器件层，该器件层包括具有最上表面的漏极结构。掩埋功率轨位于器件层内并且与漏极结构相邻，该掩埋功率轨具有位于漏极结构的最上表面下方的最上表面。顶面功率轨在垂直方向上位于掩埋功率轨之上，该顶面功率轨具有位于漏极结构的最上表面上方的最底表面。导电结构将顶面功率轨直接耦合至掩埋功率轨。

主权项：1.一种集成电路结构，包括：包括具有最上表面的漏极结构的器件层；位于所述器件层内并且与所述漏极结构相邻的掩埋功率轨，所述掩埋功率轨具有位于所述漏极结构的所述最上表面下方的最上表面；在垂直方向上位于所述掩埋功率轨之上的顶面功率轨，所述顶面功率轨具有位于所述漏极结构的所述最上表面上方的最底表面；以及将所述顶面功率轨直接耦合至所述掩埋功率轨的导电结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 具有掩埋功率轨的集成电路结构

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