申请/专利权人：万向一二三股份公司

申请日：2024-01-02

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727907A

主分类号：H01M4/36

分类号：H01M4/36;H01M10/0525;H01M4/38;H01M4/62;B82Y40/00;B82Y30/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供了一种双层包覆中空硅碳负极材料及其制备方法，本发明的双层包覆中空硅碳负极材料内核为纳米硅，第一包覆层为氧化铝，刚性较强，可以抑制硅的体积膨胀，并且氧化铝均匀包覆在纳米硅表面，可以做为人造SEI膜，阻止电解液和纳米硅直接接触，缓解纳米硅体积膨胀过程中SEI破裂再生的问题；第二包覆层为多孔碳材料，可以大幅提升材料的导电性，提升材料的倍率性能和低温性能。其中第一包覆层和第二包覆层之间有中空缓冲层，该层由内部氧化铝被酸液或碱液部分刻蚀得到，用以容纳硅的体积膨胀，进一步减小硅膨胀及收缩对材料整体性能的影响。

主权项：1.一种双层包覆中空硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1氧化铝包覆：将纳米硅在甲酸-甲酸铵缓冲溶液中超声分散，在水浴条件下加入硫酸铝，搅拌后离心干燥得到氧化铝前驱体包覆的纳米硅S1；2碳层包覆：将步骤1得到的纳米硅S1与碳源混合制备双层包覆硅碳前驱体S2；3高温碳化：将步骤2得到的双层包覆硅碳前驱体S2置于惰性气氛下进行碳化得到双层包覆硅碳材料S3；4氧化铝部分刻蚀：将步骤2得到的双层包覆硅碳材料S3在酸液或碱液中搅拌，部分刻蚀，并以去离子水进行洗涤，干燥后得到双层中空硅碳负极材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 万向一二三股份公司 一种双层包覆中空硅碳负极材料及其制备方法

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