申请/专利权人：华东光电集成器件研究所

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117720062A

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;B81C99/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及一种MEMS硅压阻式压力传感器晶圆划片方法，它应用于一面为硅结构层、另一面为玻璃结构层的压力传感器晶圆划片；其包括以下步骤：将晶圆的玻璃结构层表面上贴膜并固定在晶圆划片机工作台上；编辑晶圆划片机的划切参数，对第硅结构层进行切割，且划片刀未接触玻璃结构层；将晶圆取出，放入晶圆清洗机清洗硅屑，清洗干净后吹干并将膜撕下；将晶圆的硅结构层表面上贴膜并固定在晶圆划片机工作台上；编辑晶圆砂轮划片机的划切参数，对玻璃结构层进行切割分离；将晶圆取出，放入晶圆清洗机清洗硅屑，清洗干净后吹干进行倒膜。本发明通过先划切硅结构层再划切玻璃结构层的方式，有效降低划切过程中产生的应力，保证晶圆划切质量。

主权项：1.一种MEMS硅压阻式压力传感器晶圆划片方法，其特征在于：该方法应用于一面为硅结构层、另一面为玻璃结构层的压力传感器晶圆划片；其包括以下步骤：1）将晶圆的玻璃结构层表面上贴膜，并固定在晶圆划片机的工作台上，硅结构层作为第一切割层；2）编辑晶圆划片机的划切参数，对第一切割层进行切割，且划片刀未接触玻璃结构层；3）将晶圆从晶圆划片机取出，放入晶圆清洗机清洗硅屑，清洗干净后吹干并将膜撕下；4）将晶圆的硅结构层表面上贴膜，并固定在晶圆划片机的工作台上，玻璃结构层作为第二切割层；5）编辑晶圆砂轮划片机的划切参数，对第二切割层进行切割分离；6）将晶圆从晶圆划片机取出，放入晶圆清洗机清洗硅屑，清洗干净后吹干，进行倒膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华东光电集成器件研究所 一种MEMS硅压阻式压力传感器晶圆划片方法

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