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【发明公布】一种基于HBT工艺的宽带低相噪的分布式放大器_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202311754723.6 

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第二十四研究所

申请日:2023-12-19

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN117728772A

主分类号:H03F1/26

分类号:H03F1/26;H03F1/52;H03F3/19;G06F30/36

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要:本发明属于半导体集成电路领域,具体涉及一种基于HBT工艺的宽带低相噪的分布式放大器,包括:N个Cascode放大单元、输入隔直电容、输出隔直电容、基极人工传输线、偏置调制网络、集电极人工传输线、集电极吸收网络、集电极偏置网络、基极吸收网络、基极偏置网络、有源直流偏置网;本发明采用HBT晶体管构成的Cascode放大单元结合分布式放大器结构,能够获得更低的相位噪声和更宽的工作频段;偏置调制网络可通过改变相应电阻的阻值,调节对应Cascode放大单元中的共基极放大单元的直流偏置点,实现对每个Cascode放大单元电流分布进行控制,提高大输入功率条件下的可靠性,避免HBT晶体管烧毁。

主权项:1.一种基于HBT工艺的宽带低相噪的分布式放大器,其特征在于,包括:N个Cascode放大单元、输入隔直电容Cb1、输出隔直电容Cb2、基极人工传输线3、偏置调制网络5、集电极人工传输线9、集电极吸收网络10、集电极偏置网络11、基极吸收网络12、基极偏置网络13以及有源直流偏置网络14;输入隔直电容Cb1的一端作为信号输入端,另一端与基极人工传输线3的输入端连接;基极人工传输线3的输出端分别与基极吸收网络12和基极偏置网络13连接;基极偏置网络13另一端连接有源直流偏置网络14;有源直流偏置网络14的另一端连接偏置调制网络5;偏置调制网络5接入Cascode放大单元;N个Cascode放大单元的各个输出端分别接入集电极人工传输线9;集电极人工传输线9的第一端分别连接集电极偏置网络11和集电极吸收网络10,集电极人工传输线9的第二端连接输出隔直电容Cb2。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种基于HBT工艺的宽带低相噪的分布式放大器

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