申请/专利权人：信越化学工业株式会社;国立大学法人丰桥技术科学大学

申请日：2022-07-25

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117730420A

主分类号：H01L29/82

分类号：H01L29/82

优先权：["20210728 JP 2021-123389"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.19#公开

摘要：本发明是一种自旋波激发检测结构体的制造方法，其为制造激发并检测自旋波的自旋波激发检测结构体的方法，其具有：在供体基板上形成绝缘磁体膜的工序；通过经由导体膜将所述供体基板上的所述绝缘磁体膜的表面与支撑基板的表面贴合而制作贴合基板的工序；从所述贴合基板中去除所述供体基板的工序；以及在所述绝缘磁体膜上形成导体线的工序，由此，制造具备所述支撑基板、设置于该支撑基板上的所述导体膜、设置于该导体膜上的所述绝缘磁体膜、以及设置于该绝缘磁体膜上的所述导体线的自旋波激发检测结构体。由此，提供一种能够制造结构强度高、并且可激发的自旋波强度高、可激发的自旋波的频带宽度宽的自旋波激发检测结构体的方法。

主权项：1.一种自旋波激发检测结构体的制造方法，其为制造激发并检测自旋波的自旋波激发检测结构体的方法，其特征在于，其具有：在供体基板上形成绝缘磁体膜的工序；通过经由导体膜将所述供体基板上的所述绝缘磁体膜的表面与支撑基板的表面贴合而制作贴合基板的工序；从所述贴合基板中去除所述供体基板的工序；以及在所述绝缘磁体膜上形成导体线的工序，由此，制造具备所述支撑基板、设置于所述支撑基板上的所述导体膜、设置于所述导体膜上的所述绝缘磁体膜、以及设置于所述绝缘磁体膜上的所述导体线的自旋波激发检测结构体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 信越化学工业株式会社;国立大学法人丰桥技术科学大学 自旋波激发检测结构体的制造方法

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