申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司

申请日：2023-08-16

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727752A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02

优先权：["20220916 US 17/946,089"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及具有分段浮置区的硅控整流器，提供用于硅控整流器的结构以及形成用于硅控整流器的结构的方法。该结构包括位于半导体衬底中的第一阱、第二阱，以及第三阱。该第三阱设置于该第一阱与该第二阱间。第一端子包括位于该第一阱中的第一掺杂区，且第二端子包括位于该第二阱中的第二掺杂区。该第一阱、该第二阱，以及该第二掺杂区具有第一导电类型，且该第三阱及该第一掺杂区具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。该结构还包括位于该第三阱中的第三掺杂区。该第三掺杂区包括第一片段及第二片段，且该第一片段通过该第一阱的部分及该第三阱的部分与该第二片段隔开。

主权项：1.一种用于硅控整流器的结构，其特征在于，该结构包括：半导体衬底；第一阱，位于该半导体衬底中，该第一阱具有第一导电类型；第二阱，位于该半导体衬底中，该第二阱具有该第一导电类型；第三阱，位于该半导体衬底中，该第三阱具有与该第一导电类型相反的第二导电类型，且该第三阱设置于该第一阱与该第二阱间；第一端子，包括位于该第一阱中的第一掺杂区，该第一掺杂区具有该第二导电类型；第二端子，包括位于该第二阱中的第二掺杂区，该第二掺杂区具有该第一导电类型；以及第三掺杂区，位于该第三阱中，该第三掺杂区包括第一片段及第二片段，且该第一片段通过该第一阱的部分及该第三阱的第一部分与该第二片段隔开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有分段浮置区的硅控整流器

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