申请/专利权人：微芯片技术股份有限公司

申请日：2018-12-19

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN111542927B

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L21/28;H01L29/66;H01L29/788

优先权：["20180102 US 62/613,036","20180315 US 15/921,858"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2020.09.08#实质审查的生效;2020.08.14#公开

摘要：本发明公开了一种存储器单元，例如闪存存储器单元，该存储器单元包括衬底、形成在衬底上方的平顶浮栅以及形成在平顶浮栅上方的平顶氧化物区域。平顶浮栅可具有侧壁，该侧壁具有在浮栅的顶角处限定锐角的大致凹形形状，这可改善存储器单元的编程或擦除效率。平顶浮栅和覆盖氧化物区域可在没有形成常规“足球氧化物”的浮栅热氧化的情况下形成。字线和单独的擦除栅可以形成在浮栅和氧化物区域上方。擦除栅与浮栅的重叠距离可显著大于字线与浮栅的重叠距离，这可以允许与浮栅耦合的编程和擦除独立进行优化。

主权项：1.一种形成存储器单元的方法，所述方法包括：在衬底上方形成多晶硅层；形成图案化掩模，所述图案化掩模覆盖所述多晶硅层的第一部分并且暴露具有平坦顶表面的所述多晶硅层的平顶第二部分；在所述多晶硅层的所述暴露的平顶第二部分上方沉积氧化物层；去除所述多晶硅层的部分以限定平顶浮栅，所述平顶浮栅包括所述多晶硅层的所述第二部分以及所述浮栅的相对侧上的顶角，所述浮栅上方的氧化物层包括：a覆盖所述浮栅的相对横向侧上的浮栅侧壁的浮栅侧壁部分；以及b盖部分，所述盖部分位于所述浮栅的顶侧上方并且包括在所述盖部分的相对侧上竖直延伸的盖部分侧壁，其中所述氧化物层限定了从所述浮栅侧壁部分到所述盖部分的阶梯式转变，所述阶梯式转变覆盖所述浮栅的顶角，使得所述氧化物层的所述盖部分具有比所述氧化物层的所述浮栅侧壁部分更小的横向周界占用空间；在所述平顶浮栅和所述氧化物层上方沉积隔层，所述隔层包括在所述浮栅的顶角上方与所述氧化物层的浮栅侧壁部分横向对齐的竖直延伸的侧壁区域；以及在与所述平顶浮栅相邻的所述衬底中执行源极注入以形成与所述隔层的边缘自对齐的掺杂源极注入区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 微芯片技术股份有限公司 具有平顶浮栅结构的存储器单元

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