申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2022-08-26

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN115357079B

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.12.06#实质审查的生效;2022.11.18#公开

摘要：本发明提供一种SONOS栅端控制电压产生电路，包括：三个电阻、一PMOS晶体管和九个NMOS晶体管；P0的源极接地GND，漏极与N0的漏极相连接，栅极输入信号PRGB_CTRLU；R2、R1、R0串联连接在VREF与VNEG之间；N0的栅极连接在电阻R2和R1之间，接分压电压VNG，源极输出SONOS栅端控制电压VNEGU；N8与N2串联，N8的漏极与N0的源极相连接，栅极输入信号PRG_PGB_B；N1、N2、N3、N4、N5的源极与VNEG端相连接；N2、N4、N1组成镜像结构，三者共栅共源，N1的漏极连接N2的栅极；N7、N6和N4依次串联连接，N7的漏极与N0的源极相连接，栅极输入信号PRG_PGB；N6的漏极与栅极短接；N5的漏极与N0的源极相连接，栅极输入信号PRGB_HV；N1和N3的漏极经电流源接电源信号VDDI，栅极输入信号PEBCTRL。本发明能够有效减小VNEGU的电压跳变。

主权项：1.一种SONOS栅端控制电压产生电路，其特征在于，包括：电阻R2、R1、R0，一PMOS晶体管P0以及NMOS晶体管N0、N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8；P0的源极接地GND，漏极与N0的漏极相连接，栅极输入信号PRGB_CTRLU；R2、R1、R0串联连接在基准电压VREF与负高压VNEG之间；N0的栅极连接在电阻R2和R1之间，N0的栅极输入分压电压VNG，N0的源极输出SONOS栅端控制电压VNEGU，该VNEGU是高于VNEG的负高压；N8与N2串联，N8的漏极与N0的源极相连接，栅极输入信号PRG_PGB_B；N1、N2、N3、N4、N5的源极与负高压VNEG端相连接；N2、N4、N1组成镜像结构，三者共栅共源，N1的漏极连接N2的栅极；N7、N6和N4依次串联连接，N7的漏极与N0的源极相连接，栅极输入信号PRG_PGB；N6的漏极与栅极短接；N5的漏极与N0的源极相连接，栅极输入信号PRGB_HV；N1和N3的漏极经电流源接电源信号VDDI，N3的栅极输入信号PEBCTRL；其中，所述信号PRGB_CTRLU为PUMPGOOD、PE、PROG三者的与非运算与所述负高压VNEG经过电平转换器的电压值；所述信号PEBCTRL为PE经过反相器的结果和所述负高压VNEG经过电平转换器的电压值；所述信号PRGB_HV为PE和PROG的与非运算与所述负高压VNEG经过电平转换器的电压值；所述信号PRG_PGB_B和信号PRG_PGB为PUMPGOOD经过反相器的结果、PE、PROG三者的与非运算与所述负高压VNEG经过电平转换器的电压值，其中，PUMPGOOD为表征电荷泵输出电压VNEG建立好的信号，PE为电荷泵的使能信号，PROG为高压编程操作信号。

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