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【发明授权】一种基于VO2的开关型宽带太赫兹波吸收器及吸收装置_云南师范大学_202011263700.1 

申请/专利权人:云南师范大学

申请日:2020-11-12

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN112490686B

主分类号:H01Q17/00

分类号:H01Q17/00;H01Q15/14

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.19#授权;2021.03.30#实质审查的生效;2021.03.12#公开

摘要:本发明公开了一种基于VO2的开关型宽带太赫兹波吸收器,包括:多个呈矩阵形式排列的微结构单元;所述微结构单元包括:相变材料层、介质层和反射层;所述相变材料层位于所述介质层的上表面,所述反射层位于所述介质层的下表面;所述相变材料层包括:4个呈矩阵形式排列的L形VO2贴片;所述L形VO2贴片中间镂空,镂空图案为按比例缩小的L形;其中,所述L形VO2贴片的两个长臂向所述相变材料层的边沿方向延伸,任意两个相邻的L形VO2贴片呈镜像对称。本发明可以提高开关型太赫兹波吸收器的吸收带宽和吸收率,且不增加开关型太赫兹波吸收器的设计与制备难度。

主权项:1.一种基于VO2的开关型宽带太赫兹波吸收器,其特征在于,包括:多个呈矩阵形式排列的微结构单元;所述微结构单元包括:相变材料层、介质层和反射层;所述相变材料层位于所述介质层的上表面,所述反射层位于所述介质层的下表面;所述相变材料层包括:4个呈矩阵形式排列的L形VO2贴片;所述L形VO2贴片中间镂空,镂空图案为按比例缩小的L形;其中,所述L形VO2贴片的两个长臂向所述相变材料层的边沿方向延伸,任意两个相邻的L形VO2贴片呈镜像对称。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 云南师范大学 一种基于VO2的开关型宽带太赫兹波吸收器及吸收装置

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