申请/专利权人：南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司

申请日：2021-03-29

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113972292B

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/30;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.25#公开

摘要：本发明公开了一种基于InP基带隙可调的结构，包括依次层叠设置的上电极层、超晶格功能层、下电极层和InP衬底，其中超晶格功能层作为光电转换器件光的吸收或发射区，超晶格功能层为晶格常数大于和小于InP衬底的晶格常数的半导体层交替堆叠生长组成的超晶格。本发明还公开了基于此结构的光电转换器件以及此结构的分子束外延生长方法。由于超晶格内部的应变补偿的方法，将两种大失配的半导体材料集成在一起，且无需考虑由于失配应变产生的位错缺陷导致超晶格的质量变差和引起器件暗电流等因素。同时，通过改变短周期超晶格的周期长度可以改变应变补偿短周期超晶格的光学带隙，拓展了结构的光电转换响应波长范围，使得近红外波段的光电转换器件可在同一材料体系中实现宽的可调响应范围。

主权项：1.一种基于InP基带隙可调的结构，其特征在于，包括依次层叠设置的上电极层（1）、超晶格功能层（2）、下电极层（3）和InP衬底（4），其中所述超晶格功能层（2）作为光电转换器件光的吸收或发射区，所述超晶格功能层（2）为晶格常数大于和小于所述InP衬底（4）的晶格常数的半导体层交替堆叠生长组成的超晶格。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司 一种基于InP基带隙可调的结构及光电转换器件

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