申请/专利权人：深圳大普微电子科技有限公司

申请日：2021-09-10

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113793636B

主分类号：G11C29/56

分类号：G11C29/56;G11C29/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.12.31#实质审查的生效;2021.12.14#公开

摘要：本发明公开了一种闪存块磨损度的评估方法及固态硬盘，获取闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值；获取已注入电子的闪存块的电子泄漏趋向值；根据闪存块的电子泄漏程度值和电子泄漏趋向值，评估闪存块的磨损度。可见，本申请从闪存块的电子泄漏程度值和电子泄漏趋向值两个维度评估闪存块的磨损度，相比于单一擦除次数作为磨损评估指标，从两个维度评估磨损度更为全面和精准，使得磨损均衡效果较好，进而增加了固态硬盘的整体寿命。

主权项：1.一种闪存块磨损度的评估方法，其特征在于，包括：获取闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值；获取已注入电子的所述闪存块的电子泄漏趋向值；根据所述闪存块的电子泄漏程度值和电子泄漏趋向值，评估所述闪存块的磨损度；其中，获取闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值，包括：获取所述闪存块的擦除次数，并获取所述闪存块在刚注入电子后的初始错误比特评估值；根据所述擦除次数和所述初始错误比特评估值，确定所述闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值；其中，所述擦除次数和所述初始错误比特评估值与所述电子泄漏程度值之间呈正相关关系；其中，获取所述闪存块在刚注入电子后的初始错误比特评估值，包括：获取所述闪存块在刚注入电子后的IRBER值或IFBC值，并获取所述闪存块在刚注入电子后的温度值；根据所述温度值相应对所述IRBER值或IFBC值进行修正，得到所述闪存块在刚注入电子后的IRBER修正值或IFBC修正值，并将所述IRBER修正值或所述IFBC修正值作为所述初始错误比特评估值；其中，根据所述擦除次数和所述初始错误比特评估值，确定所述闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值，包括：根据LL＝EPC*δ*IRBER或LL＝EPC*δ*IFBC计算所述闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值LL；其中，EPC为所述擦除次数；δ*IRBER为所述IRBER修正值；δ*IFBC为所述IFBC修正值；δ为所述温度值对应的第一温度补偿系数；其中，获取已注入电子的所述闪存块的电子泄漏趋向值，包括：获取已注入电子的所述闪存块在预设时间内的单位错误比特增长评估值，并获取所述闪存块在所述预设时间内的平均温度值；根据所述平均温度值对所述单位错误比特增长评估值进行修正，得到所述闪存块在所述预设时间内的电子泄漏趋向值；其中，获取已注入电子的所述闪存块在预设时间内的单位错误比特增长评估值，包括：获取已注入电子的所述闪存块在预设时间内的RBER增长量或FBC增长量；将所述RBER增长量或所述FBC增长量除以所述预设时间，相应得到所述闪存块在单位时间内的RBER增长速率或FBC增长速率，并将所述RBER增长速率或所述FBC增长速率作为所述单位错误比特增长评估值。

全文数据：

权利要求：

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