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【发明授权】基于多层电阻型FSS的超宽带吸波结构及制备方法_电子科技大学;四川航天系统工程研究所_202210283511.3 

申请/专利权人:电子科技大学;四川航天系统工程研究所

申请日:2022-03-22

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN114597672B

主分类号:H01Q17/00

分类号:H01Q17/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.19#授权;2022.06.24#实质审查的生效;2022.06.07#公开

摘要:本发明提供一种基于多层电阻型FSS的超宽带吸波结构及制备方法,从上到下依次为:分形方片结构电阻型频率选择表面FSS、第一层介质层、方环结构电阻型频率选择表面FSS、第二层介质层、弯曲线结构电阻型频率选择表面FSS、第三层介质层、金属背板;与传统采用金属FSS或者电阻加载方式相比,本发明解决了在低厚度下实现宽带吸波与低频吸波难以同时实现的问题。采用弯曲结构的电阻型FSS高容性特点降低吸波体低频谐振,再与方环与方片分形结构的电阻型FSS进行叠加实现宽带吸波,采用中心对称图形,使其具有极化稳定性。工作范围覆盖S到Ku波段,且整体厚度较薄,实验和仿真结果一致,在雷达隐身、电磁兼容等方面具有应用潜力。

主权项:1.一种基于多层电阻型FSS的超宽带吸波结构,其特征在于,包括从上到下依次层叠的多个尺寸相同的正方型结构层,各结构层都为中心对称图形,依次为:分形方片结构电阻型频率选择表面FSS1、第一层介质层2、方环结构电阻型频率选择表面FSS3、第二层介质层4、弯曲线结构电阻型频率选择表面FSS5、第三层介质层6、金属背板7;分形方片结构电阻型频率选择表面FSS1包括衬底中心的分形方片电阻膜,分形方片电阻膜通过在正方型电阻膜四条边各自中点向正方型中心去除4个相同的矩形得到;方环结构电阻型频率选择表面FSS3为衬底中心的方环形电阻膜;弯曲线结构电阻型频率选择表面FSS5包括衬底上的4个弯曲线单元51,左上角的弯曲线单元51包括:位于上方横向上依次连接的多个横向方波结构511、连接在横向方波结构511下方的纵向上依次连接的纵向方波结构512,左上角的弯曲线单元51绕衬底中心依次顺时针旋转90°分别得到其余3个弯曲线单元51;分形方片结构电阻型频率选择表面FSS1、方环结构电阻型频率选择表面FSS3、弯曲线结构电阻型频率选择表面FSS5上的频率选择表面FSS材料选自导电碳浆、氧化铟锡、石墨烯导电浆料、碳纳米管导电浆料、导电银浆其中一种;第一层介质层2、第二层介质层4、第三层介质层6材料选自聚甲基丙烯酰亚胺泡沫、聚酰亚胺泡沫、聚氨酯泡沫、聚氯乙烯泡沫、酚醛泡沫塑料、聚乙烯泡沫塑料其中一种;金属背板7材料选择铜、铝、金、银其中一种。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 电子科技大学;四川航天系统工程研究所 基于多层电阻型FSS的超宽带吸波结构及制备方法

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