申请/专利权人：瑞昱半导体股份有限公司

申请日：2019-11-11

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112786090B

主分类号：G11C11/412

分类号：G11C11/412;G11C11/419

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.05.28#实质审查的生效;2021.05.11#公开

摘要：本发明涉及储存器写入装置及方法。本发明包含一种储存器写入装置，对耦接于二位线且被选择之储存器单元进行写入操作，包含：耦合电容、电荷分享电路、写入驱动电路、充电电路及负电压耦合电路。电荷分享电路使耦合电容之第一端与第一位线电性耦接，以接收其电荷进行充电。写入驱动电路将第一位线以及耦合电容之第二端电性耦接。充电电路使电压源通过耦合电容之第一端对耦合电容充电。负电压耦合电路在负电压产生区段使耦合电容之第一端电性耦接于接地电位，使耦合电容由第二端耦合负电压至第一位线进行写入操作。

主权项：1.一种储存器写入装置，配置以对被选择之一储存器单元进行一写入操作，该储存器单元电性耦接于二位线，该储存器写入装置包含：一耦合电容，具有一第一端以及一第二端；一电荷分享电路，配置以于一写入周期之一电荷分享区段中，使该耦合电容之该第一端与该二位线之一第一位线电性耦接，以接收该第一位线之电荷进行充电；一写入驱动电路，配置以自该写入周期中，该电荷分享区段后之一写入驱动区段起将该第一位线以及该耦合电容之该第二端电性耦接；一充电电路，配置以在该写入驱动区段使一电压源与该耦合电容之该第一端电性耦接，以使该电压源对该耦合电容充电；以及一负电压耦合电路，配置以在该写入周期中，该写入驱动区段后之一负电压产生区段前使该耦合电容之该第二端电性耦接于接地电位，并在该负电压产生区段使该耦合电容之该第一端电性耦接于该接地电位，进而使该耦合电容由该第二端通过该写入驱动电路耦合一负电压至该第一位线，以对该储存器单元进行该写入操作。

全文数据：

权利要求：

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