申请/专利权人：株式会社FLOSFIA;国立大学法人京都大学

申请日：2022-07-26

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751457A

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;C30B25/02;C30B29/16;H01L21/329;H01L21/336;H01L21/338;H01L21/365;H01L21/368;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/47;H01L29/739;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812;H01L29/861;H01L29/868;H01L33/26

优先权：["20210730 JP 2021-126325","20210730 JP 2021-126326","20210730 JP 2021-126328","20220216 JP 2022-022381","20220216 JP 2022-022382"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明提供一种具有良好的取向性且以锗为主成分的金红石型结构的氧化物结晶。得到一种氧化物结晶，通过在特定条件下使用雾化CVD法在金红石型结构的氧化钛基板上进行氧化锗的成膜，从而含有金红石型结构的氧化物，所述氧化物结晶向与c轴垂直或平行的晶轴方向取向，在所述氧化物结晶中的金属元素中锗的原子比大于0.5。

主权项：1.一种氧化物结晶，为含有金红石型结构的氧化物的氧化物结晶，其特征在于，所述氧化物结晶向与c轴垂直或平行的晶轴方向取向，在所述氧化物结晶中的金属元素中锗的原子比大于0.5。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社FLOSFIA;国立大学法人京都大学 氧化物结晶、结晶性氧化物膜、结晶性层叠结构体及半导体装置

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