申请/专利权人：华东计算技术研究所(中国电子科技集团公司第三十二研究所)

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117742432A

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明属于电子电路技术领域，具体公开了一种无运放低功耗基准电路。其包括：MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5和MN6、MOS管MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8和MP9、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、三极管Q1、Q2及其连接关系。本发明通过利用MOS管电流电压关系，通过电流镜使得电路中的两个NMOS管电流相等，从而获得两个相等的源极电压，即不需要运放，也能获得△VBE，产生精确的基准电压，极大地降低了电路功耗。

主权项：1.一种无运放低功耗基准电路，其特征在于，包括：MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5和MN6；MOS管MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8和MP9；电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8；三极管Q1、Q2；MOS管MN1和MN2两者的栅极之间电性连接，MOS管MN1和MN2两者的源极均接地；电阻R1一端接入电源VDDA，另一端和MOS管MN1的漏极电性连接且连接在MOS管MN1和MN2两者的栅极之间的线路上；MOS管MP1的源极接入电源VDDA，MOS管MP1的漏极和MOS管MN2的漏极之间连接有MOS管MP5、MP6；MOS管MP2的源极接入电源VDDA，MOS管MP2的漏极和三极管Q1的发射极之间依次连接有MOS管MP7、电阻R5、MOS管MN5、MOS管MN3、电阻R2，三极管Q1的集电极和基极接地，电阻R3一端接在MOS管MN3和电阻R2之间的线路上，另一端接地；MOS管MP3的源极接入电源VDDA，MOS管MP3的漏极和三极管Q2的发射极之间依次连接有MOS管MP8、电阻R6、MOS管MN6、MOS管MN4，三极管Q2的集电极和基极接地，电阻R4一端接在MOS管MN4和三极管Q2的发射极之间的线路上，另一端接地；MOS管MN3的栅极、MOS管MN4的栅极、MOS管MN6的漏极三者进行电性连接；MOS管MN5的栅极、MOS管MN6的栅极、MOS管MN8的漏极三者进行电性连接；MOS管MN7的栅极、MOS管MN8的栅极、MOS管MN5的漏极三者进行电性连接；MOS管MN7的漏极接入电源VDDA；MOS管MP4的源极接入电源VDDA，MOS管MP4的漏极和电阻R8一端之间依次连接有MOS管MP9、电阻R7，电阻R8另一端接地，MOS管MP9的栅极和MOS管MN8的栅极电性连接；MOS管MP1、MP2、MP3、MP4四者的栅极均电性连接，电阻R7和R8之间的线路设置有基准电压输出点。

全文数据：

权利要求：

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