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【实用新型】一种基准电路及驱动芯片_成都极海科技有限公司_202322668696.2 

申请/专利权人:成都极海科技有限公司

申请日:2023-09-28

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN220795713U

主分类号:G05F1/567

分类号:G05F1/567

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.16#授权

摘要:本实用新型涉及模拟电路领域,尤其涉及一种基准电路及驱动芯片。其中,基准电路包括:第一负温度系数电压产生模块、第一正温度系数电压产生模块、第一反馈回路以及基准电压输出端口;第一负温度系数电压产生模块包括:第一NPN型三极管和第二NPN型三极管;第一NPN型三极管的集电极以及第二NPN型三极管的集电极均与电源端口连接;第一NPN型三极管以及第二NPN型三极管的发射极均与接地端口连接;第一NPN型三极管的基极与第二NPN型三极管的基极连接。通过NPN型三极管来分别得到正温度系数电压以及负温度系数电压。进而基于负温度系数电压以及正温度系数电压输出基准电压。

主权项:1.一种基准电路,其特征在于,包括:第一负温度系数电压产生模块、第一正温度系数电压产生模块、第一反馈回路以及基准电压输出端口;所述第一负温度系数电压产生模块包括:第一NPN型三极管和第二NPN型三极管;所述第一NPN型三极管的集电极以及所述第二NPN型三极管的集电极均与电源端口连接;所述第一NPN型三极管以及所述第二NPN型三极管的发射极均与接地端口连接;所述第一NPN型三极管的基极与所述第二NPN型三极管的基极连接;所述第一NPN型三极管的基极-发射极以及所述第二NPN型三极管的基极-发射极产生负温度系数电压;所述第一正温度系数电压产生模块包括:第一负载元件、第二负载元件、第三负载元件以及集成运算放大器;所述第一负载元件设置在所述第一NPN型三极管的发射极与所述接地端口之间;所述第二负载元件和所述第三负载元件串联在所述第二NPN型三极管的发射极与所述接地端口之间;所述集成运算放大器的第一输入端连接在所述第一NPN型三极管的发射极与所述第一负载元件之间;所述集成运算放大器的第二输入端连接在所述第二负载元件与所述第三负载元件之间;所述第二NPN型三极管发射极与接地端口之间产生正温度系数电压;所述第一反馈回路包括:所述集成运算放大器的输出端与所述第一NPN型三极管的基极和所述第二NPN型三极管的基极之间连接,形成电路反馈,使得所述集成运算放大器的第一输入端和所述第二输入端之间的虚短成立;所述基准电压输出端口连接在所述第一NPN型三极管的基极和所述第二NPN型三极管的基极之间,用于输出基准电压。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 成都极海科技有限公司 一种基准电路及驱动芯片

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