申请/专利权人：株式会社村田制作所

申请日：2020-05-08

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN111917386B

主分类号：H03F3/21

分类号：H03F3/21;H03F3/68;H03F3/19;H03F1/02;H03F1/30

优先权：["20190509 JP 2019-089274"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2020.11.27#实质审查的生效;2020.11.10#公开

摘要：本发明提供一种能够进行低电源电位下的动作的功率放大电路以及偏置控制电路。包含：多个功率放大器，被进行多级连接，将高频输入信号进行放大并输出放大后的高频输出信号；多个偏置电路，对多个功率放大器分别输出偏置电流；以及偏置控制电路，基于作为多个偏置电路中的一个偏置电路内的部位的电位并根据高频输出信号的功率而变化的第2参照电位，将用于使比一个偏置电路靠前级的一个或多个偏置电路所输出的偏置电流增加的偏置控制电流输出到比一个偏置电路靠前级的一个或多个偏置电路。

主权项：1.一种功率放大电路，包含：多个功率放大器，被进行多级连接，将高频输入信号进行放大并输出放大后的高频输出信号；多个偏置电路，对所述多个功率放大器分别输出偏置电流；以及偏置控制电路，基于作为所述多个偏置电路中的一个偏置电路内的部位的电位并根据所述高频输出信号的功率而变化的第2参照电位，将用于使比所述一个偏置电路靠前级的一个或多个偏置电路所输出的偏置电流增加的偏置控制电流输出到比所述一个偏置电路靠前级的一个或多个偏置电路，所述一个偏置电路包含第4晶体管，所述一个偏置电路所输出的偏置电流从所述第4晶体管的发射极输出，所述第2参照电位是所述第4晶体管的基极电位或发射极电位。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社村田制作所 功率放大电路以及偏置控制电路

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