申请/专利权人：恩智浦有限公司

申请日：2022-10-20

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917574A

主分类号：G01R19/165

分类号：G01R19/165;G01R31/40

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：一种用于检测电源电压上的毛刺的电路布置，所述电路布置包括耦合到电源端且被配置成提供滤波后电源电压的低通滤波器布置。所述电路布置包括第一检测器电路和第二检测器电路，所述第一检测器电路和所述第二检测器电路各自被配置成接收所述电源电压和所述滤波后电源电压，并且被配置成分别在第一检测器输出端和第二检测器输出端处提供指示包括所述电源电压的瞬态正向和瞬态负向变化的毛刺的第一检测信号和第二检测信号。所述电路布置另外包括电路布置输出端，所述电路布置输出端被配置成提供输出信号，所述输出信号指示基于所述第一检测信号和所述第二检测信号检测到所述电源电压中的毛刺。

主权项：1.一种用于检测电源电压上的毛刺的电路布置，其特征在于，包括电源端，所述电源端被配置成接收所述电源电压；低通滤波器布置，所述低通滤波器布置耦合到所述电源端并且被配置成接收所述电源电压并提供滤波后电源电压；第一检测器电路，所述第一检测器电路包括PMOS晶体管，以及包括第一端和第二端的第一电阻器，所述PMOS晶体管包括：被配置成接收所述电源电压的源极端，被配置成接收所述滤波后电源电压的栅极端，以及耦合到所述第一电阻器的所述第一端的漏极端，其中所述第一电阻器的所述第二端耦合到参考电压端，所述参考电压端被配置成耦合到参考电压；以及耦合到所述第一电阻器的所述第一端的第一检测器输出端，其中所述第一检测器输出端被配置成提供指示包括所述电源电压的瞬态正向变化的毛刺的第一检测信号；第二检测器电路，所述第二检测器电路包括PMOS晶体管，以及NMOS晶体管，其中所述PMOS晶体管包括：被配置成接收所述滤波后电源电压的源极端，被配置成接收所述电源电压的栅极端，以及漏极端；所述NMOS晶体管包括：漏极端，被配置成接收所述电源电压的栅极端，被配置成耦合到所述参考电压端的源极端，并且其中所述NMOS晶体管的所述漏极端耦合到所述PMOS晶体管的所述漏极端；耦合到所述PMOS晶体管的所述漏极且耦合到所述NMOS晶体管的所述漏极的第二检测器输出端，其中所述第二检测器输出端被配置成提供指示包括所述电源电压的瞬态负向变化的毛刺的第二检测信号；以及电路布置输出端，所述电路布置输出端被配置成提供输出信号，所述输出信号指示基于所述第一检测信号和所述第二检测信号检测到所述电源电压中的毛刺。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恩智浦有限公司 检测器电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD