申请/专利权人：先导薄膜材料(广东)有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737471A

主分类号：C22B58/00

分类号：C22B58/00;C22B9/16;C22B9/04;C22B9/05

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明属于金属提纯技术领域，公开了一种低硅含量高纯铟的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将铟原料放入氢化炉内，抽真空至真空度为5*10‑3Pa‑8*10‑3Pa；步骤2：通惰性气体至常压，保压30min；步骤3：将惰性气体置换成氢气，开启加热升温至400‑600℃，保温1‑2h得到所述低硅含量高纯铟。本发明公开了一种低硅含量高纯铟的制备方法，可以将高纯铟中的硅元素含量降低到＜10ppbw，有效提高高纯铟的使用性能。

主权项：1.一种低硅含量高纯铟的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将铟原料放入氢化炉内，抽真空至真空度为5*10-3Pa-8*10-3Pa；步骤2：通惰性气体至常压，保压30min；步骤3：将惰性气体置换成氢气，开启加热升温至400-600℃，保温1-2h得到所述低硅含量高纯铟。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种低硅含量高纯铟的制备方法

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