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【发明公布】零静态功耗熔丝修调系统_南京铭芯半导体科技有限公司_202311757563.0 

申请/专利权人:南京铭芯半导体科技有限公司

申请日:2023-12-19

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117749157A

主分类号:H03K19/00

分类号:H03K19/00;H03K19/094

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:零静态功耗熔丝修调系统,涉及电子技术,本发明包括一个共享参考模块和至少一个熔丝模块,共享参考模块包括第一共享开关,其一端通过共享电阻接高电平,另一端接第一共享参考点;第一共享参考点通过参考MOS管接地,还通过共享电容接地;第一共享参考点通过第二共享开关接公共点;熔丝模块中,第一修调开关的一端通过熔丝电阻接高电平,另一端接第一修调参考点;第一修调参考点通过第二修调MOS管接地,还通过修调电容接地;第一修调参考点通过第二修调开关接锁存器的输入端,锁存器的输出端通过第五修调开关接公共点;第一修调开关和熔丝电阻的连接点通过第一修调MOS管接地。整个电路系统无静态功耗,显著减小了芯片面积。

主权项:1.零静态功耗熔丝修调系统,其特征在于,包括一个共享参考模块和至少一个熔丝模块,所述共享参考模块包括第一共享开关S1a,其一端通过共享电阻R1接高电平,另一端接第一共享参考点a1b;第一共享参考点a1b通过参考MOS管N1b接地,还通过共享电容C1接地;第一共享参考点a1b通过第二共享开关S1b接公共点;所述熔丝模块包括第一修调MOS管和第一修调开关,第一修调开关的一端通过熔丝电阻接高电平,另一端接第一修调参考点;第一修调参考点通过第二修调MOS管接地,还通过修调电容接地;第一修调参考点通过第二修调开关接锁存器的输入端,锁存器的输出端通过第五修调开关接公共点;第一修调开关和熔丝电阻的连接点通过第一修调MOS管接地。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京铭芯半导体科技有限公司 零静态功耗熔丝修调系统

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