申请/专利权人：安徽师范大学

申请日：2023-12-04

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117736416A

主分类号：C08G61/12

分类号：C08G61/12;H10K85/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明中，合成了一种强缺电子结构单元，二噻吩并稠合的喹喔啉酰亚胺DTQI,含有吸电子的喹喔啉和酰亚胺单元，并将其引入聚合物主链。由于DTQI的高电子亲和力，两种基于DTQI的受体‑受体全受体，A‑A型聚合物PDTQI和PDTQI‑BTI显示出深HOMOLUMO能级，从而在有机薄膜晶体管中对于A‑A型均聚物PDTQI和A‑A型共聚物PDTQI‑BTI产生电子迁移率为0.012cm2V‑1s‑1和0.25cm2V‑1s‑1的单极n型传输特性。这些结果表明DTQI是构建n型聚合物半导体的一种有前途的构件，并且可以扩展到其他新型缺电子构件的设计。

主权项：1.一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料，其特征在于：包括式I或式II所示结构： 其中R1和R2为侧链基团，X包括C-H、N、C-Cl、C-CN和C-F中的任意一种，π-为共轭结构基团，虚线代表R2侧链基团在结构中相对应位置的连接键；R1和R2选自直链烷基或支链烷基；n的取值为10-1000整数，所述R1和R2为式A基团中的任意一种：

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽师范大学 一种基于噻吩酰亚胺为构建单元的聚合物给体材料其制备方法

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