申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

申请日：2016-05-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112002810B

主分类号：H10K30/30

分类号：H10K30/30;H10K85/20;H10K39/32

优先权：["20150529 JP 2015-110900","20160331 JP 2016-072197"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.12.15#实质审查的生效;2020.11.27#公开

摘要：根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。

主权项：1.一种光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料，所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物，所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数，并且所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值，其中，所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第二有机半导体材料在单层膜形式下的450nm波长的线吸收系数的十倍。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼半导体解决方案公司 光电转换元件和固体摄像装置

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