申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2021-10-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114005831B

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H01L21/764

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.02.22#实质审查的生效;2022.02.01#公开

摘要：一种改善NANDflash字线间漏电的工艺集成方法，包括：提供硅基衬底，并形成块区字线及选择管栅；在字线结构、选择管栅处形成氧化物层；在字线结构、选择管栅间隙处填充氮化硅层并形成侧墙；在其上形成氧化物层和氮化硅层；在氮化硅层上设置氧化物层，且填充选择管栅之间隙，并化学机械研磨；回刻字线结构及选择管栅露出栅极顶部区域；去除字线结构之间的氮化硅层；沉积镍铂及钛的氮化物，并第一次退火及镍铂金属硅化物清洗；沉积介质层形成空气间隙；进行镍硅化合物第二次退火。本发明通过在字线结构的空气间隙形成之后进行镍硅化合物第二次退火，不仅工艺兼容性强，而且可减少湿法清洗，有效地降低字线结构倒塌的可能性，从而改善字线结构间漏电的情况。

主权项：1.一种改善NANDflash字线间漏电的工艺集成方法，其特征在于，所述改善NANDflash字线间漏电的工艺集成方法，包括：执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底上形成块区字线以及位于所述块区字线两侧的选择管栅；执行步骤S2：在所述字线结构的底部和侧壁，以及所述选择管栅的侧壁形成第一氧化物层；执行步骤S3：在所述字线结构之间、字线结构与选择管栅之间，以及选择管栅之间的间隙处填充第一氮化硅层，且所述第一氮化硅层位于所述第一氧化物层上，并对所述选择管栅侧壁的第一氮化硅层进行刻蚀，以形成侧墙；执行步骤S4：在所述块区字线及所述选择管栅之异于硅基衬底的一侧形成第二氧化物层，并在所述第二氧化物层之异于硅基衬底的一侧形成第二氮化硅层；执行步骤S5：在所述第二氮化硅层上设置第三氧化物层，且所述第三氧化物层填充所述选择管栅之间隙，并对所述第三氧化物层进行化学机械研磨，平坦化至所述第二氮化硅层的上表面；执行步骤S6：回刻所述字线结构及选择管栅，并露出栅极顶部区域；执行步骤S7：去除所述字线结构之间的第一氮化硅层；执行步骤S8：在所述栅极顶部区域沉积镍铂及钛的氮化物，并进行镍硅化合物第一次退火及镍铂金属硅化物清洗；执行步骤S9：沉积介质层覆盖所述字线结构之栅极顶部区域，使得所述字线结构之间形成空气间隙；执行步骤S10：进行镍硅化合物第二次退火，以在字线结构之栅极顶部区域形成金属硅化物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 一种改善NAND flash字线间漏电的工艺集成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD