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【发明授权】低频高功率高可靠双定向耦合器_西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)_202311698496.X 

申请/专利权人:西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

申请日:2023-12-12

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117393981B

主分类号:H01P5/18

分类号:H01P5/18

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要:本发明公开了一种低频高功率高可靠双定向耦合器,属于耦合器技术领域,包括耦合器主腔体、中心导体和连接器外壳体,所述中心导体外周从内到外依次同心设置有内绝缘管、耦合铜片和外绝缘管,还设置有耦合PCB,所述耦合PCB的一端还固定连接有耦合腔体,所述耦合腔体的上端固定连接有连接器;所述中心导体与连接器外壳体之间还设置有中心导体防转机构;本发明能够实现50kW级大功率在低频段100kHz~5MHz频率范围内‑70dB~‑60dB的耦合度,同时平坦度±0.5dB,方向性≥28dB,主路插损≤0.05dB。

主权项:1.一种低频高功率高可靠双定向耦合器,包括耦合器主腔体(2),所述耦合器主腔体(2)内设置有中心导体(7),所述中心导体(7)两端设置有连接器外壳体(6),其特征在于:所述中心导体(7)外周从内到外依次同心设置有内绝缘管(8)、耦合铜片(9)和外绝缘管(10),还设置有与所述耦合铜片固定连接的耦合PCB(11),所述耦合PCB(11)的一端还固定连接有耦合腔体(5),所述耦合腔体(5)的上端固定连接有连接器(12);所述中心导体(7)与连接器外壳体(6)之间还设置有中心导体防转机构;所述耦合铜片(9)为两块,两块所述耦合铜片(9)分别与所述内绝缘管(8)同心且过渡配合,两块所述耦合铜片(9)彼此分离,每块耦合铜片(9)均为圆弧状,且径向截面小于半圆,每块所述耦合铜片(9)的其中一个轴边均设置有一个铜片引脚(91);所述耦合PCB(11)的一端与所述耦合铜片(9)焊接,另一端与所述耦合腔体(5)固定连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) 低频高功率高可靠双定向耦合器

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