申请/专利权人：武汉科技大学

申请日：2022-04-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114807655B

主分类号：C22C1/047

分类号：C22C1/047;B22F3/14;B22F9/04;C22C1/03;C22C12/00;C22C30/00;H10N10/01;H10N10/852

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开

摘要：本发明提供了一种中低温n型镁锑铋基多晶块体热电材料的制备方法，具体包括以下步骤：以Mg粒，Sb、Bi、Te锭作为单质原料，按Mg3.5Sb1.99‑xBixTe0.01化学计量比称取配料0.29≤x≤1.69，将Mg与Sb、Bi、Te原料分开经过两次高温熔炼，结合SPS烧结制得了n型镁锑铋基多晶块体热电材料。本发明所制备的n型多晶块体热电材料制备方法简单、成本低、生产效率高、能有效避免Bi元素挥发，适合实际中大规模生产所用；所制备的n型镁锑铋基多晶块体热电材料产品的纯度和致密度较高、晶粒尺寸较大，电导率高，无量纲热电优值较高。

主权项：1.一种n型镁锑铋基多晶块体热电材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1.以Mg粒，Sb、Bi、Te单质锭为原料，按照Mg3.5Sb1.99-xBixTe0.01化学计量比称取原料，其中0.29≤x≤1.69；步骤2.将Sb、Bi、Te原料装入石英玻璃管中抽真空密封，通过充分熔炼得到SbBiTe合金锭；充分熔炼是将密封后的石英管置于摇摆炉内，在650～750℃的温度条件下熔炼30～60min；步骤3.将步骤2中得到的SbBiTe合金锭破碎并充分研磨，制得SbBiTe合金粉，并与步骤1中称取的Mg粒混合均匀，一起装入石墨坩埚内并加盖；步骤4.将石墨坩埚置于石英管内，再次抽真空密封，将密封后的石英管进行高温熔炼，再冷却至室温，得到镁锑铋基合金锭；高温熔炼是将密封后的石英管竖直放入马弗炉中，在900～1200℃的温度条件下熔炼60～120min，所述冷却是熔炼结束后随炉冷却；步骤5.将步骤4中的镁锑铋基合金锭破碎并充分研磨，烧结致密化即得到n型镁锑铋基多晶块体热电材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉科技大学 一种n型镁锑铋基多晶块体热电材料的制备方法

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