申请/专利权人：上海鑫得瑞材料科技有限公司

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117888200A

主分类号：C30B29/32

分类号：C30B29/32;C30B15/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及闪烁晶体技术领域，尤其涉及IPCC30B29，更具体地涉及，一种新型高抗辐照损伤的锗酸铋闪烁晶体材料和制备方法。本发明提供了一种新型高抗辐照损伤的锗酸铋闪烁晶体材料，其通式为：AxBi4‑xGe3O12；其中0.0001≤x≤5；A为Ce、Ca、La、Nd中的一种或多种组合。本发明中的锗酸铋闪烁晶体材料在大幅度提高抗辐照损伤性能的同时，不产生额外的闪烁慢分量，且闪烁余辉与仪器电子学噪声处于同一水平。可用于高能物理实验、核医学成像等对材料的抗辐照性能有极高要求的场合。

主权项：1.一种新型高抗辐照损伤的锗酸铋闪烁晶体材料，其特征在于，其通式为：AxBi4-xGe3O12；其中0.0001≤x≤5；A为Ce、Ca、La、Nd中的一种或多种组合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海鑫得瑞材料科技有限公司 一种新型高抗辐照损伤的锗酸铋闪烁晶体材料和制备方法

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