申请/专利权人：太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院

申请日：2022-06-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN115000230B

主分类号：H01L31/102

分类号：H01L31/102;H01L31/0312;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.09.20#实质审查的生效;2022.09.02#公开

摘要：本发明属于半导体光电探测器领域，公开了一种垂直结构TiN增强型4H‑SiC基宽谱光电探测器及制备方法，包括：自上而下依次设置的顶电极层、TiN‑NCCs层、半导体层、Al2O3层和底电极层，所述顶电极层为半透明金属电极，TiN‑NCCs层为TiN纳米凹凸结构，半导体层为4H‑SiC基底，底电极层为不透光金属电极。本发明在4H‑SiC半导体层两侧分别设置顶电极和底电极，形成了垂直结构的光电探测器，而且通过在4H‑SiC半导体层与顶电极层的界面处引入TiN纳米颗粒，增加了器件在宽谱范围内的亮电流，此外，引入0.6nmAl2O3层作为修饰层，可以抑制器件由于引入TiN‑NCCs而导致的暗电流升高，提升了宽光谱探测器的性能。

主权项：1.一种垂直结构TiN增强型4H-SiC基宽谱光电探测器，其特征在于，包括：自上而下依次设置的顶电极层、TiN-NCCs层、半导体层、Al2O3层和底电极层，所述顶电极层为半透明金属电极，TiN-NCCs层为TiN材料形成的TiN纳米凸起在半导体层表面周期性排布形成，半导体层为4H-SiC基底，底电极层为不透光金属电极；所述TiN-NCCs层中，最高处的高度为40nm±5nm，最低处的高度为0-20nm，TiN-NCCs层中相邻TiN纳米凸起之间的间隔为100nm±10nm，TiN纳米凸起在结构中的占空比为80%±10%。

全文数据：

权利要求：

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