申请/专利权人:信越半导体株式会社
申请日:2019-08-01
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN112640072B
主分类号:H01L21/66
分类号:H01L21/66;H01L21/304
优先权:["20180905 JP 2018-165807"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.22#授权;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开
摘要:准备晶片(S1),对所准备的晶片,从晶片的中心开始将圆周360度分割为既定个数的角度,并测量每个角度半径方向的各个位置的厚度形状(S2、S3)。将由测量机所得的每个角度的厚度形状以6次以上的多项式进行近似,进行晶片厚度相对于半径方向的位置的函数化(S4)。将由测量机输出的厚度形状与由上述函数输出的厚度形状进行比较,确认在晶片全体为既定的误差以内(S5)。在此确认后,将每个上述角度的函数的信息作为表示晶片形状的数据添加至晶片提供给使用者(S6)。借此,提供一种能够降低晶片的形状数据的容量,且能够取得高精度的形状数据,且适用于取得晶片全体的形状的方法。
主权项:1.一种晶片形状数据化的方法,其将晶片的形状通过函数进行数据化,所述晶片形状数据化的方法的特征在于,包括:从晶片的中心开始将圆周360度分割为既定个数的角度,并测量每个角度半径方向的各个位置的厚度形状,通过6次以上的多项式近似来对每个所述角度进行相对于半径方向的位置的晶片厚度的函数化,将由测量机输出的厚度形状与由所述函数输出的厚度形状进行比较,在确定了晶片全体在既定误差以内之后,将每个所述角度的函数作为表示晶片形状的数据。
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