申请/专利权人：中国电子科技集团公司第三十九研究所

申请日：2023-08-31

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN220652350U

主分类号：H01Q1/38

分类号：H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/48;H01Q9/04;H01Q21/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权

摘要：本实用新型提出一种SP双频低剖面共孔径阵列天线，由若干阵列单元拼接组成；每个阵列单元包括多个S频段单元、P频段单元、介质支撑层和金属地板；S频段单元采用振子形式天线，P频段单元采用微带贴片天线，二者互为正交的线极化形式。相比较于强耦合阵列，本实用新型降低了低频段的有源通道数量，且两个频段的阵面效率与单频段情况相当，可应用于相隔较远频段的双频共孔径相控阵天线设计；而且两个频段的单元均以金属地板作为共地端，解决了双层贴片独立馈电的不共地问题；此外两个频段单元共用一层介质板的整体设计，使得整个阵列结构浑然一体，结构紧凑，制作简单，适用于批量加工，降低成本，比较适合大型相控阵天线的使用。

主权项：1.一种SP双频低剖面共孔径阵列天线，由若干阵列单元拼接组成；其特征在于：所述阵列单元包括多个S频段单元、P频段单元、介质支撑层和金属地板；所述S频段单元采用振子形式天线，所述P频段单元采用微带贴片天线；所述S频段单元与所述P频段单元互为正交的线极化形式；所述S频段单元分为处于P频段单元外的S频段独立单元和处于P频段单元内的S频段混合单元；所述P频段单元包括P频段辐射片、P频段耦合柱、P频段馈电柱、P频段馈电层；所述P频段辐射片上有呈矩阵分布的第一开孔，所述第一开孔个数与所述混合单元个数相同；所述P频段辐射片朝向介质支撑层的一面设有与P频段耦合柱位置对应的耦合槽；所述P频段辐射片安装在所述介质支撑层上；所述P频段馈电层安装在所述金属地板上；所述P频段馈电层由介质层和布置带介质层上的微带线路组成；所述P频段馈电柱布置在所述P频段馈电层与所述P频段辐射片之间，所述P频段馈电柱一端穿过所述介质支撑层后与所述P频段辐射片连接，另一端与所述微带线路末端连接；所述P频段耦合柱底部穿过所述P频段馈电层后与金属地板连接，且所述P频段耦合柱不与所述微带线路相连；所述P频段耦合柱顶部为盘状结构，P频段耦合柱穿过所述介质支撑层后，顶部盘状结构深入P频段辐射片的耦合槽中，与P频段辐射片形成耦合结构；所述S频段混合单元对应布置在所述P频段辐射片的第一开孔上，并以所述P频段辐射片作为反射板；所述S频段混合单元的馈电缆穿过所述第一开孔、所述介质支撑层后直接连接所述金属地板，或再穿过所述介质层后连接所述金属地板；所述S频段独立单元布置在所述介质支撑层上，并在朝向所述介质支撑层的面上布置有反射片；所述S频段独立单元的馈电缆穿过所述介质支撑层后直接连接所述金属地板，或再穿过所述介质层后连接所述金属地板；所述S频段混合单元与所述S频段独立单元共同组成S频段单元阵列；在金属地板的下表面设有同轴连接器，连接器与馈电线一一对应，完成对天线单元的馈电。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第三十九研究所 一种SP双频低剖面共孔径阵列天线

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