申请/专利权人：深圳市盛元半导体有限公司

申请日：2023-08-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN220652012U

主分类号：H01L23/495

分类号：H01L23/495;H01L23/498;H01L23/367

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权

摘要：本实用新型公开了一种基于DBC绝缘散热的TO‑247‑5L封装结构，包括壳体1及其内部封装的引线框架单体2、覆铜陶瓷基板3以及IC晶粒；引线框架单体2上设有多个独立端子4，且至少有一个独立端子4冲压折弯形成折弯端子以便与覆铜陶瓷基板3进行固定连接；覆铜陶瓷基板3包括陶瓷绝缘层、位于陶瓷绝缘层上表面及底面的第一、第二覆铜层；第一覆铜层上固定连接有IC晶粒；第二覆铜层通过壳体1底部的开窗裸露出以散热。本封装结构免去了现有技术中在金属背板涂敷导热硅脂并贴上导热绝缘片的工序操作，简化了制造流程，提高了生产效率，且在大功率和大电流场景应用中具有更优良的散热和绝缘性能。

主权项：1.一种基于DBC绝缘散热的TO-247-5L封装结构，包括壳体1及在所述壳体1内封装设置的引线框架单体2、覆铜陶瓷基板3以及IC晶粒，其特征在于，所述引线框架单体2上设有多个独立端子4，且至少有一个独立端子4冲压折弯形成折弯端子以便与所述覆铜陶瓷基板3进行固定连接；所述独立端子4都设有首端和尾端，首端上设有用于压焊键合的基岛5，所述尾端将伸出所述壳体1外形成外引脚；所述覆铜陶瓷基板3包括陶瓷绝缘层9、位于所述陶瓷绝缘层9上表面的第一覆铜层17以及位于所述陶瓷绝缘层9底面的第二覆铜层8；所述第一覆铜层17上固定连接有所述IC晶粒；所述第二覆铜层8通过所述壳体1底部的开窗裸露出以用于散热。

全文数据：

权利要求：

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