申请/专利权人：西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

申请日：2023-08-01

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN220652314U

主分类号：H01P1/36

分类号：H01P1/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权

摘要：本实用新型公开了一种提升P波段宽带隔离器谐波抑制性能与互调性能的电路结构，属于磁性器件技术领域，包括中心结、传输线和匹配结，其中，所述中心结的尺寸大于所述隔离器的铁氧体，所述中心结上开设有至少一个通槽，所述通槽的位置保证中心结在铁氧体以外的部分为连续结构；本申请设计的结构可有效提升谐波抑制能力80%以上；本申请实现了具有良好谐波抑制能力的P波段宽带高互调性能隔离器，器件典型性能为：工作频率730～980MHz，驻波＜1.25，隔离度＞21dB，互调性能≤‑80dBc（2×100W，双音间隔1MHz），二次谐波抑制＞20dB。

主权项：1.一种提升P波段宽带隔离器谐波抑制性能与互调性能的电路结构，其特征在于：包括中心结（501）、传输线（502）和匹配结（503），其中，所述中心结（501）的尺寸大于所述隔离器的铁氧体401的尺寸，所述中心结（501）上开设有至少一个通槽（504），所述通槽（504）的位置保证中心结（501）在铁氧体401以外的部分为连续结构。

全文数据：

权利要求：

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