申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117740324A

主分类号：G01M11/00

分类号：G01M11/00;G01M11/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提出一种表征半导体激光器抗回光能力的评价方法及系统，通过构建测量光路，测得进入待表征半导体激光器中波长范围为λ1到λ2激光的功率Pi以及待表征半导体激光器输出激光经过掺杂光纤吸收后的功率Po和光谱Iλ，基于剩余比例a、功率Pi、功率Po和光谱Iλ计算出平均放大倍数F；基于平均放大倍数F的大小评价半导体激光器抗回光能力的强弱。本发明所提供的评价方法具有通用性，可以评价不同类型的半导体激光器在不同工作状态下，对不同波长范围、不同功率激光的抗回光能力。

主权项：1.表征半导体激光器抗回光能力的评价方法，其特征在于，包括：搭建测量光路；测量光路包括待表征半导体激光器、正向泵浦信号合束器、掺杂光纤、反向泵浦信号合束器、工作于待测波长范围的激光光源以及激光功率光谱采集子系统，其中待测波长范围为λ1到λ2；所述待表征半导体激光器通过正向泵浦信号合束器的一个泵浦臂接入掺杂光纤中，掺杂光纤输出端接入反向泵浦信号合束器；工作于待测波长范围的激光光源通过反向泵浦信号合束器的一个泵浦臂接入掺杂光纤中；正向泵浦信号合束器和反向泵浦信号合束器的一个空闲泵浦臂分别接入激光功率光谱采集子系统；激光功率光谱采集子系统利用正向泵浦信号合束器的一个空闲泵浦臂测量进入待表征半导体激光器中波长范围为λ1到λ2激光的功率Pi，与此同时激光功率光谱采集子系统利用反向泵浦信号合束器的一个空闲泵浦臂测量待表征半导体激光器输出激光经过掺杂光纤吸收后的功率Po和光谱Iλ；根据掺杂光纤参数、功率Pi、功率Po和光谱Iλ获取平均放大倍数F，基于平均放大倍数F的大小评价半导体激光器抗回光能力的强弱。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 表征半导体激光器抗回光能力的评价方法及系统

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