申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2023-09-15

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117238989B

主分类号：H01L31/0336

分类号：H01L31/0336;H01L31/072;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2024.01.02#实质审查的生效;2023.12.15#公开

摘要：本申请提出一种CNT＠MoS2异质结太阳电池及其制备方法。CNT＠MoS2异质结太阳电池，包括背面电极、GaAs衬底、CNT＠MoS2复合空穴传输层和正面电极，所述背面电极制备在所述GaAs衬底的一表面，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层设置在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面，所述正面电极设置在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层上方并覆盖CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面；其中，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层为CNT与三层MoS2的复合空穴传输层。CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，包括：在GaAs衬底的一表面制备背面电极；在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面设置CNT＠MoS2复合空穴传输层；在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层表面通过电子束蒸发镀膜进行正面电极的制备，所述正面电极覆盖所述CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面。

主权项：1.一种CNT＠MoS2异质结太阳电池，其特征在于，包括背面电极、GaAs衬底、CNT＠MoS2复合空穴传输层和正面电极，所述背面电极制备在所述GaAs衬底的一表面，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层设置在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面，所述正面电极设置在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层上方并覆盖CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面；其中，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层为CNT与三层MoS2的复合空穴传输层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种CNT@MoS₂异质结太阳电池及其制备方法

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