申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117568755B

主分类号：C23C14/32

分类号：C23C14/32;C23C14/08;C23C14/54;C23C14/58;H10N70/00;H10N70/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种低电阻的镧锶锰氧电极薄膜及其制备方法，包括以下步骤：S1、通过激光照射镧锶锰氧靶材使其产生等离子体羽辉，在衬底上进行镧锶锰氧薄膜的沉积，原位监测沉积过程中的真空度变化；S2、保持真空腔室内温度和气压不变，对衬底进行原位退火；S3、保持真空腔室内温度不变，增加腔内气压，对钛酸锶衬底进行后退火，待薄膜自然冷却至室温后，停止通入气体，得到镧锶锰氧电极薄膜。本发明在镧锶锰氧薄膜生长完成后先进行原位退火以提高薄膜的结晶度，然后保持温度不变，再提高氧压进行后退火以显著减小镧锶锰氧薄膜的电阻，避免了直接在高氧压下生长而导致薄膜结晶不良、电阻较高的问题。

主权项：1.一种低电阻的镧锶锰氧电极薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、通过激光照射镧锶锰氧靶材使其产生等离子体羽辉，在衬底上进行镧锶锰氧薄膜的沉积，原位监测沉积过程中的真空度变化；S2、保持真空腔室内温度和气压不变，对衬底进行原位退火，使镧锶锰氧薄膜中的氧离子在晶格中重新排列形成氧空位，所述镧锶锰氧电极薄膜呈现类晶格条纹，气压为5×10-2~3×10-1mbar；S3、保持真空腔室内温度不变，增加腔内气压，气压为10~102mbar，对衬底进行后退火，随着腔内气压的升高，镧锶锰氧电极薄膜表面的氧离子迁移并填充氧空位，镧锶锰氧层的晶格结构由缺氧状态转为富氧状态，镧锶锰氧电极薄膜的类晶格条纹消失，待薄膜自然冷却后，停止通入气体，得到低电阻的镧锶锰氧电极薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种低电阻的镧锶锰氧电极薄膜及其制备方法

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