申请/专利权人：苏州大学

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117794330A

主分类号：H10K71/00

分类号：H10K71/00;H10K85/50;H10K50/10;H10K85/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种深蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1.在阳极衬底上制备空穴传输层；S2.将溴化铯、溴化铅、氯化铅、对氟苯乙胺溴、甲脒溴、溴化锂和乙胺溴EABr溶解于有机溶剂中，得到钙钛矿溶液，将所述钙钛矿溶液涂覆在S1所述的空穴传输层上，制备得到钙钛矿薄膜；S3.在S2所述的钙钛矿薄膜上依次制备电子传输层、电子注入层和阴极电极，得到所述深蓝光钙钛矿发光二极管。本发明以EABr作为螯合剂，制备的器件在458nm处有着光谱稳定的深蓝光发射，EQE达到了创纪录的5.65％。即使螯合剂的掺入很小，也能引起EL发射的明显蓝移从474nm到458nm，显示出该策略的优越性。

主权项：1.一种深蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在阳极衬底上制备空穴传输层；S2.将溴化铯、溴化铅、氯化铅、对氟苯乙胺溴、甲脒溴、溴化锂和乙胺溴溶解于有机溶剂中，得到钙钛矿溶液，将所述钙钛矿溶液涂覆在S1所述的空穴传输层上，制备得到钙钛矿薄膜；S3.在S2所述的钙钛矿薄膜上依次制备电子传输层、电子注入层和阴极电极，得到所述深蓝光钙钛矿发光二极管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州大学 一种深蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法

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