申请/专利权人：北京信息科技大学

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117779187A

主分类号：C30B25/16

分类号：C30B25/16;C30B25/18;C30B29/40;C30B29/68;H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/18;G01Q60/24;G01N23/207;G01N23/2273;G01N23/04;G01N23/223

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明提供了一种InAsGaSb长波红外超晶格的制备方法包括如下方法步骤：S1、将GaSb:GaTe衬底加热到300℃除气10分钟；S2、在520℃且富Sb生长的束流下，对GaSb:GaTe衬底脱氧10分钟；S3、降低GaSb:GaTe衬底温度至440℃，在GaSb:GaTe衬底上生长500nm的GaSb缓冲层；其中，GaSb缓冲层生长过程中SbGa束流比为5；S4、在GaSb缓冲层上生长InAsGaSb长波红外超晶格；其中，InAsGaSb长波红外超晶格生长过程中，生长温度保持在420℃；AsIn的VⅢ等效束流比为7，SbGa的VⅢ等效束流比为5。本发明综合多种表征技术，对InAsGaSb长波红外超晶格全面表征，增强了对InAsGaSb长波红外超晶格吸收区特性的理解，为InAsGaSb长波红外超晶格的结构优化提供重要的信息和依据。

主权项：1.一种InAsGaSb长波红外超晶格的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下方法步骤：S1、将GaSb:GaTe衬底加热到300℃除气10分钟；S2、在520℃且富Sb生长的束流下，对GaSb:GaTe衬底脱氧10分钟；S3、降低GaSb:GaTe衬底温度至440℃，在GaSb:GaTe衬底上生长500nm的GaSb缓冲层；其中，GaSb缓冲层生长过程中SbGa束流比为5；S4、在GaSb缓冲层上生长InAsGaSb长波红外超晶格；其中，InAsGaSb长波红外超晶格生长过程中，生长温度保持在420℃；AsIn的VⅢ等效束流比为7，SbGa的VⅢ等效束流比为5。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京信息科技大学 一种InAs/GaSb长波红外超晶格的制备方法及表征方法

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