申请/专利权人：中国科学院化学研究所

申请日：2023-11-14

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117794266A

主分类号：H10K30/86

分类号：H10K30/86;H10K30/50;H10K71/00;H10K71/12;H10K71/40;H10K85/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种空穴传输层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，所述空穴传输层包括基底和基底表面的涂覆层，所述涂覆层中含有6‑溴香豆素‑3‑甲酸乙酯。本发明的空穴传输层利用6‑溴香豆素‑3‑甲酸乙酯的自身灵敏的光致结构互变的特性，减小钙钛矿薄膜层形成过程中的应力，同时动态抑制太阳能电池工作时因光浴产生的应力，增强太阳能电池的稳定性。且空穴传输层的制备方法易于操作，重复性好，适用于工业大规模生产。

主权项：1.一种空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层包括基底和基底表面的涂覆层，所述涂覆层中含有6-溴香豆素-3-甲酸乙酯。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院化学研究所 一种空穴传输层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用

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