申请/专利权人：上海交通大学

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790528A

主分类号：H01L27/15

分类号：H01L27/15;H01L27/12;H01L21/77;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及一种片上集成晶体管驱动电路的Micro‑LED集成结构及其制造方法。所述片上集成晶体管驱动电路的Micro‑LED显示装置集成结构包括衬底和位于衬底上方的像素阵列，像素阵列包括呈阵列排布的多个像素单元；像素单元包括：Micro‑LED芯片，位于衬底上方；第一封装层，覆盖衬底和Micro‑LED芯片；像素驱动电路，位于第一封装层上方，包括像素驱动信号线堆叠层和氧化物薄膜晶体管；像素驱动信号线堆叠层包括间隔排布的多层金属互联层和多层层间绝缘层；其中，第一封装层和氧化物薄膜晶体管中的半导体层均采用原子层沉积工艺形成。本发明免去了巨量转移技术的复杂工艺，有利于实现高良率、高分辨率和低成本的有源矩阵驱动Micro‑LED显示。

主权项：1.一种片上集成晶体管驱动电路的Micro-LED集成结构，其特征在于，包括衬底和沿第一方向位于所述衬底上方的像素阵列，所述像素阵列包括呈阵列排布的多个像素单元，所述第一方向垂直于所述衬底的顶面；其中，所述像素单元包括：Micro-LED芯片，沿第一方向位于所述衬底上方，所述Micro-LED芯片包括沿所述第一方向依次堆叠的缓冲层、N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层和透明导电电极层；第一封装层，覆盖所述衬底和所述Micro-LED芯片；像素驱动电路结构，沿所述第一方向位于所述第一封装层上方，所述像素驱动电路结构包括像素驱动信号线堆叠层、以及沿所述第一方向片上集成于所述像素驱动信号线堆叠层上的氧化物薄膜晶体管，所述像素驱动信号线堆叠层包括沿所述第一方向间隔排布的多层金属互联层和沿所述第一方向排布的多层层间绝缘层，且所述像素驱动信号线堆叠层电连接所述氧化物薄膜晶体管和所述Micro-LED芯片；所述第一封装层和所述氧化物薄膜晶体管中的半导体层均采用原子层沉积工艺形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海交通大学 片上集成晶体管驱动电路的Micro-LED集成结构及其制造方法

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