申请/专利权人：东南大学

申请日：2024-01-24

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117784454A

主分类号：G02F1/035

分类号：G02F1/035;G02F1/03;G02B6/122;G02B6/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种基于掺杂脊型光波导的高带宽SOI调制器。所述脊型光波导为采用掺杂硅制备而成的脊型波导，其结构包括P++掺杂区、P+掺杂区、P‑掺杂区、P掺杂区、N掺杂区、N‑掺杂区、N+掺杂区、N++掺杂区，其中P掺杂区和N掺杂区位于脊型波导的中心区域，P++、P+、P‑、N++、N+、N‑掺杂区域位于平板波导区域。以行波电极进行驱动，本发明可以实现高效率高带宽的电光调制。

主权项：1.一种基于掺杂脊型光波导的高带宽绝缘衬底上硅SOI调制器，其特征在于，所述调制器由掺杂脊型光波导和行波电极组成；所述脊型光波导为采用SOI工艺制备的掺杂硅脊型波导，该掺杂脊型波导内嵌在SiO2包层中，其截面结构包括依次排列的P++掺杂区、P+掺杂区、P-掺杂区、P掺杂区、N掺杂区、N-掺杂区、N+掺杂和N++掺杂区，其中P掺杂区和N掺杂区位于脊型波导的中心区域，脊型波导中心区域高度为Hrib，P++、P+、P-、N-、N+、N++区域位于平板波导区域；平板波导区域高度为Hslab，脊型波导的中心区域高度Hrib高于平板波导区域的高度Hslab；传播光模式位于P掺杂区和N掺杂区域所在脊型波导中心区域；P-和N-掺杂区域位于紧贴在脊型中心区域两侧的平板波导区域，其掺杂浓度为1015cm-3～1016cm-3数量级；P+和N+掺杂区域是掺杂过渡区，P+掺杂区域位于P-掺杂区和P++掺杂区之间，N+掺杂区位于N-掺杂区和N++掺杂区域之间，P+和N+掺杂区域的掺杂浓度高于P-和N-区域，低于P++和N++掺杂区域；脊型波导的P++区域和N++区域是与行波电极相接触的区域；行波电极位于掺杂脊型波导的上方，通过行波电极上的金属通孔与掺杂脊型波导的P++区域和N++区域的掺杂硅直接连接，形成欧姆接触，同时行波电极的上表面与外部探针或金属引线相连接，用于外部调制电信号输入和与终端阻抗的连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东南大学 一种基于掺杂脊型光波导的高带宽SOI调制器

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