申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2022-06-14

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117795433A

主分类号：G03F7/36

分类号：G03F7/36;H01L21/67

优先权：["20210615 US 63/202,536"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本文公开了用于干式显影工艺的辐射加热系统和方法。在一些实例中，这种系统和方法可允许干式显影处理已完成后可能留于晶片表面上的挥发性卤化物通过晶片的辐射加热而被驱离晶片。在一些实例中，可在原位环境中提供这种系统和方法，其中被加热的晶片在与执行干式显影工艺相同的室内被辐射加热。在其他情况下，这种辐射加热可在其他位置进行，例如，当晶片从处理室运至另一室时或完全在另一室中时进行。

主权项：1.一种装置，其包括：处理室；基座，其位于所述处理室内并具有晶片支撑表面，所述晶片支撑表面被配置成在所述处理室内晶片的干式显影处理期间支撑所述晶片；基座冷却系统，其被配置成至少冷却所述基座的所述晶片支撑表面；一个或更多个光源，其定位成将光引导至所述处理室内的一定位置处并且在所述基座上或上方；以及具有一个或更多个入口和多个出口的气体分配系统，所述气体分配系统被配置成将流过其中的气体从所述出口引出而进入所述基座的所述晶片支撑表面上方的区域中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 用于晶片中的干式显影副产物挥发的干式显影装置和方法

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