申请/专利权人：杭州富芯半导体有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117891145A

主分类号：G03F7/30

分类号：G03F7/30;H01L21/027

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明提供一种光刻胶的显影方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底中设有多个间隔排列的凸起结构；于半导体衬底上方形成覆盖凸起结构显露表面的光刻胶，相邻两个凸起结构之间间隙上方的光刻胶的表面形成有凹坑；于光刻胶上表面形成顶部抗反射涂层，并对形成顶部抗反射涂层后的光刻胶进行曝光处理；采用显影液对进行曝光处理后的光刻胶进行显影处理；去除显影处理后位于光刻胶上方的显影液的残留液及顶部抗反射涂层。本发明的光刻胶的显影方法避免了显影处理后光刻胶与显影液长时间接触反应产生生成物残渣进而出现显影缺陷，保证了光刻工艺的稳定性，确保了后续的产品良率。

主权项：1.一种光刻胶的显影方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中设有多个间隔排列的凸起结构；于所述半导体衬底上方形成覆盖所述凸起结构显露表面的光刻胶，相邻两个所述凸起结构之间间隙上方的所述光刻胶的表面形成有凹坑；于所述光刻胶上表面形成顶部抗反射涂层，并对形成所述顶部抗反射涂层后的所述光刻胶进行曝光处理；采用显影液对进行曝光处理后的所述光刻胶进行显影处理；去除显影处理后位于所述光刻胶上方的所述显影液的残留液及所述顶部抗反射涂层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州富芯半导体有限公司 一种光刻胶的显影方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD