申请/专利权人：安世有限公司

申请日：2023-09-26

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790418A

主分类号：H01L21/78

分类号：H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/306

优先权：["20220928 EP 22198467.7"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：本公开涉及一种从晶圆切单得到裸片的方法，该晶圆包括半导体层和在背面研磨后施加到晶圆背面的涂层，并且其中该涂层包括至少一个金属化层，将该裸片沿着在多个方向上延伸的锯道分离，该方法包括以下步骤：从晶圆的顶面沿着锯道进行晶圆切割；其中通过等离子切割进行所述切割，切割深度对应于半导体层和涂层之间的界面，并且该方法还包括以下步骤：对于涂层中的各个剩余金属化层，根据对应于锯道的蚀刻掩模来蚀刻晶圆，以从晶圆切单得到裸片。

主权项：1.一种从晶圆上切单得到裸片的方法，所述晶圆包括半导体层和在背面研磨之后施加到所述晶圆背面的涂层，并且其中所述涂层包括至少一个金属化层，将所述裸片沿着在多个方向上延伸的锯道分离，所述方法包括以下步骤：在所述晶圆的顶面上施加光刻胶层作为蚀刻掩模，用于根据蚀刻掩模蚀刻所述晶圆的步骤；-从所述晶圆的顶面沿着所述锯道切割所述晶圆；其中通过等离子切割进行所述切割，切割深度对应于所述半导体层和所述涂层之间的界面，并且其中在切割步骤之前施加所述光刻胶层，所述方法还包括以下步骤：-对于所述涂层中的各个剩余金属化层，根据与所述锯道相对应的蚀刻掩模蚀刻所述晶圆，用于从所述晶圆切单得到所述裸片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安世有限公司 一种从晶圆切单得到裸片的方法

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