申请/专利权人：中国人民解放军火箭军工程大学

申请日：2023-09-28

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117791103A

主分类号：H01Q1/38

分类号：H01Q1/38;H01L21/329;H01L29/868

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及双沟道增强型硅基偶极子可重构天线及其制备方法，在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在GeOI衬底内设置深槽隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；形成第一P型有源区和第一N型有源区；形成第二P型有源区和第二N型有源区；形成GeSn合金引线，形成具有SiGe‑GeSn‑SiGe结构的PiN二极管单元；将相邻PiN二极管单元之间相互串联以形成高浓度固态等离子体阵列；形成外围馈电网络，结合高浓度固态等离子体区域与金属辐射体制成双沟道增强型硅基偶极子可重构天线。本发明通过动态控制等离子体区域禁带宽度的变化、异质补偿多沟道的引入、天线辐射臂等离子体区域的动态控制、系统异质集成等技术能够制备并形成一种双沟道增强型硅基固态等离子体偶极子可重构天线。

主权项：1.双沟道增强型硅基偶极子可重构天线的制备方法，其特征在于：方法如下：a在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；b在GeOI衬底内设置深槽隔离区，深槽隔离区的深度大于等于顶层GeSn区的厚度；c刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于顶层GeSn区的厚度；d对P型沟槽和所述N型沟槽进行离子注入以形成第一P型有源区和第一N型有源区；e对P型沟槽和所述N型沟槽进行离子注入以形成第二P型有源区和第二N型有源区；f形成GeSn合金引线，形成具有SiGe-GeSn-SiGe结构的PiN二极管单元；g将相邻PiN二极管单元之间相互串联以形成高浓度固态等离子体阵列；h形成外围馈电网络，结合高浓度固态等离子体区域与金属辐射体制成双沟道增强型硅基偶极子可重构天线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军火箭军工程大学 双沟道增强型硅基偶极子可重构天线及其制备方法

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