申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2019-07-26

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN112470257B

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L21/285;H01L21/02;H01L29/51;H01L21/324

优先权：["20180726 US 62/703,714"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2021.03.09#公开

摘要：描述了形成用于半导体器件的晶体学稳定的铁电铪锆基膜的方法。该铪锆基膜可以是掺杂的或非掺杂的。该方法包括在衬底上沉积厚度大于5纳米的铪锆基膜，在该铪锆基膜上沉积盖层，对该衬底进行热处理以使该铪锆基膜以非中心对称的正交相、四方相或其混合物结晶。该方法进一步包括从该衬底去除该盖层，将该经热处理的铪锆基膜减薄到小于5纳米的厚度，其中该减薄的经热处理的铪锆基膜保持该结晶的非中心对称的正交相、四方相或其混合物。

主权项：1.一种衬底加工方法，其包括：在衬底上沉积厚度大于5纳米的铪锆基膜；在该铪锆基膜上沉积盖层；对该衬底进行热处理以使该铪锆基膜以非中心对称的正交相、四方相或其混合物结晶；从该衬底去除该盖层；以及将该经热处理的铪锆基膜减薄到小于5纳米的厚度，其中该减薄的经热处理的铪锆基膜保持该结晶的非中心对称的正交相、四方相或其混合物。

全文数据：

权利要求：

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