申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2018-03-12

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN110462737B

主分类号：G11C5/14

分类号：G11C5/14;G11C7/12

优先权：["20170322 US 15/466,749"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2019.12.10#实质审查的生效;2019.11.15#公开

摘要：提供了一种写入驱动器，该写入驱动器包括第一写入驱动器反相器，该第一写入驱动器反相器使数据信号反相以驱动第二写入驱动器晶体管的栅极。写入驱动器晶体管具有耦合到位线的端子和耦合到升压电容器的另一端子。用于第一写入驱动器反相器的接地在写入辅助时段期间浮置，以阻止来自升压电容器的升压电荷通过写入驱动器晶体管的泄漏。

主权项：1.一种静态随机存取存储器类型的存储器，包括：第一写入驱动器反相器205，包括第一接地节点；开关晶体管M8,M9，被耦合在所述第一接地节点与地之间，其中所述开关晶体管M8,M9被配置为在写入辅助时段期间关断，以将用于所述第一写入驱动器反相器205的所述地浮置；升压电容器P3；以及第一写入驱动器晶体管M1，具有第一端子和第二端子，所述第一端子耦合到位线B1；B2，所述第二端子连接到所述升压电容器P3的端子，其中所述第一写入驱动器反相器205被配置为使数据信号反相，以驱动所述第一写入驱动器晶体管M1的栅极；写入辅助晶体管M3，连接在地和所述升压电容器P3的端子之间，其中所述写入辅助晶体管M3被配置为在所述写入辅助时段期间关断；以及第一升压使能反相器125，用于使升压使能信号反相以驱动所述开关晶体管M8,M9的栅极以及所述写入辅助晶体管M3的栅极；其中，在用于写入操作的所述写入辅助时段期间，所述存储器被配置为将所述第一写入驱动器晶体管M1的所述第二端子升压到负升压电压，同时继续使所述第一写入驱动器反相器205的地浮置以使所述第一写入驱动器晶体管M1的栅极浮置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 写入数据路径以减少负升压的电荷泄漏

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