申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司

申请日：2019-12-20

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113196399B

主分类号：G11C16/04

分类号：G11C16/04;G11C16/08;G11C16/16;G11C16/24;G11C16/30;G11C16/34;G11C7/12

优先权：["20190607 US 16/434,436"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.08.17#实质审查的生效;2021.07.30#公开

摘要：非易失性高性能存储器设备兼顾速度和可靠性，这可包括通道升压以降低存储器单元中的数据错误率。竖直NAND串表现出越大的编程干扰错误，字线在该串上越高。本公开在编程达到已经确定因编程干扰而引起的错误可能成问题的水平字线数时施加升压的位线电压或应用增加的预充电时间。位线的升压可在存储的字线值之后或基于在先前字线处的计算的错误数发生。在一个示例中，该位线保持与现有字线编程操作相同，直到确定可能的编程干扰为止。

主权项：1.一种用于三维NAND的升压方法，包括：向存储器块发出编程命令；分配初始位线偏置；确定正被编程的字线；在所述字线低于或处于字线阈值的情况下，使用所述初始位线偏置在所述字线处对存储器单元进行编程，所述字线阈值被设置为某一值，低于所述值，存储器单元没有编程干扰，并且高于所述值，所述存储器单元具有编程干扰；以及在所述字线高于所述字线阈值的情况下，将位线偏置增加到升压的位线偏置并且然后使用所述增加的位线偏置在所述字线处对所述存储器单元进行编程，所述增加的位线偏置大于所述初始位线偏置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 3D NAND的预测升压

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