申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-12-14

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN112614850B

主分类号：H10B43/10

分类号：H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2021.04.06#公开

摘要：本发明提供一种存储单元及其制造方法、3DNAND存储器及其制造方法，在堆叠结构中形成栅线缝隙，通过该栅线缝隙去除堆叠结构中的部分牺牲层，保留在第一方向上具有一定宽度的牺牲层，由这些保留的牺牲层及其对应的堆叠的绝缘层形成存储区块之间的隔离结构。保留的底部牺牲层，增加了对堆叠结构的支撑，增加了结构的稳定性，提高了后续产品的良率。本发明存储单元的存储块能够做得更小，增加了单位面积的存储容量。整个制程中，热过程减少，减少了衬底的翘曲，提高了成膜质量。基于上述存储单元形成3DNAND存储器时，存储单元衬底中阱区的拾取以及外接焊盘的形成可以有多种方式，增加了器件设计的灵活性。

主权项：1.一种存储单元制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底在第一方向和第二方向上延伸形成衬底表面，在所述衬底表面上沿垂直与所述衬底表面的第三方向形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的绝缘层和牺牲层，所述堆叠结构包括核心区以及沿所述第一方向位于所述核心区两侧的台阶区；在所述堆叠结构的所述核心区形成在所述第三方向上贯穿所述堆叠结构的沟道结构；在所述堆叠结构中形成在所述第三方向上贯穿所述堆叠结构并沿所述第一方向延伸的至少一条栅线缝隙；经所述栅线缝隙去除所述堆叠结构中的部分所述牺牲层，保留在所述第二方向上具有一定宽度的牺牲层，保留的所述牺牲层以及保留的所述牺牲层之间的所述绝缘层形成隔离结构，所述隔离结构隔离相邻的存储区块；经所述栅线缝隙在所述堆叠结构中形成字线层；在所述栅线缝隙中填充绝缘材料形成绝缘柱，以将所述存储区块划分成不同的子区块。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储单元及其制造方法、3D NAND存储器及其制造方法

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