申请/专利权人：清华大学

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877552A

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00;G11C5/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及非易失存储技术领域，特别涉及一种NAND结构忆阻器阵列结构及其制备方法，其中，忆阻器阵列结构包括：多个1T1R单元结构，多个1T1R单元结构按行列设置，形成NAND结构忆阻器阵列结构，其中，位于同一列的多个1T1R单元结构串联，且位于两端的1T1R单元结构分别连接第二晶体管和第三晶体管，第二晶体管的漏极与位线连接，第三晶体管的源极与源线连接；位于同一行的每个1T1R单元结构的第一晶体管的栅极均与同一WL字线连接，位于同一行的第二晶体管的栅极均与同一漏选通线连接，第三晶体管的栅极均与同一源选通线连接。由此，解决了现有忆阻器阵列结构无法缩小至忆阻器理论最小特征面积4F2等问题。

主权项：1.一种1T1R单元结构，其特征在于，包括：忆阻器和第一晶体管，其中，所述忆阻器的一端与所述第一晶体管的源极连接，所述忆阻器的另一端与所述晶体管的漏极连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学 NAND结构忆阻器阵列结构及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD